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概伦电子企业命题-第九届中国研究生创“芯”大赛

发布时间：2026-03-25 来源：中国研究生创“芯”大赛阅读次数：639

关于概伦电子

国内首家EDA上市公司关键核心技术具备国际市场竞争力的EDA领军企业，致力于打造应用驱动的、覆盖集成电路设计与制造的EDA全流程解决方案，支撑各类高端芯片研发的持续发展，并联合产业链上下游和EDA合作伙伴，建设有竞争力和生命力的EDA生态。通过EDA方法学创新，推动集成电路设计和制造的深度联动，加快工艺开发和芯片设计进程，提高集成电路产品的良率和性能，增强集成电路企业整体市场竞争力。

如需了解更多信息，请访问网站 https://www.primarius-tech.com/

2026年，概伦电子为第九届中国研究生创芯大赛提供三道企业赛题：

赛题	赛题名称
一	基于VeriSim仿真的I3C设计及验证
二	HEMT器件的建模与验证
三	自选器件的建模与验证

概伦电子企业专项奖说明

概伦电子企业命题专项奖专门用于奖励选择概伦电子企业命题的赛队，由企业专家评出。概伦电子企业命题专项奖是初赛奖，入围决赛的参赛队伍继续参加大赛决赛奖项评比，与初赛奖项互不冲突。

概伦电子企业命题专项奖设置

概伦电子企业命题一等奖3队，每队奖金1万元；

概伦电子企业命题二等奖7队，每队奖金0.5万元。

赛题交流Q群

707797078

创芯大赛-概伦电子人才政策

概伦电子公司鼓励和支持技术部门从创芯大赛获奖学生中挖掘人才。在校招过程中，本次创芯大赛获奖学生可以跳过笔试，直接进入面试环节，概伦电子公司将优先为获奖学生提供岗位实习的机会。

赛题一：基于VeriSim仿真的I3C设计及验证

VeriSim是一款先进的逻辑仿真器，提供全面的数字设计验证解决方案，覆盖系统级、行为级、RTL级和门级数字电路仿真验证的需求。配备高性能的仿真引擎和约束求解器，旨在提高编译时效率，并确保设计的正确性和稳定性；可适配众多主流硬件描述语言，包括Verilog、VHDL、SystemVerilog、SystemC 等，以及它们的组合；支持行为级、RTL级和带SDF后仿的门级数字电路门级 Verilog和 VHDL仿真；支持高阶的系统级SystemVerilog加SystemC混合仿真，通过无缝集成通用验证方法（UVM）为用户提供快速验证测试台的设置，使验证过程更加高效和可控；提供全面的功能、断言和代码覆盖率测试，可生成多种格式的仿真数据；输入文件可通过加密算法进行保护，确保客户 IP得到充分的安全保护；集成概伦电子NanoSpice系列的各种晶体管级电路仿真器，提供完整的混合信号验证解决方案。

设计内容描述：

I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）是一种由MIPI联盟开发的新型串行通信协议，旨在提供比传统I²C更高的数据传输速率和更多功能。它可以被看作是I²C的演进和增强版，结合了I²C的简单性与SPI的高速特性。由于其高速、低功耗和多功能的特点，I3C协议非常适用于各种需要高效连接大量传感器和外设的系统。请基于这一标准设计一个I3C模块，并基于UVM方法论搭建验证平台，使用VeriSim仿真器进行功能验证。

I3C Key Features

1) 支持SDR Primary Controller模式

2) 支持AMBA APB总线访问寄存器

3) 支持可编程的总线时序，包括SCL高低电平周期，SDA保持时间和总线空闲条件

4) 支持SDR私有读/写消息，支持发送I2C私有读/写消息

5) 支持SDR通用CCC消息（广播CCC和直接CCC）

6) 支持动态地址分配（仅要求支持ENTDAA CCC）

7) 支持带内中断，可配置数据负载有无

8) 支持中断和轮询访问

设计要求：

用SystemVerilog语言实现I3C（SDR Primary Controller）模块。
基于UVM架构搭建测试平台，实现BRM，SCB，Monitor等验证模块。
编写测试用例，要求覆盖题目规定的完整功能点。
用VeriSim仿真工具完成仿真并输出覆盖率报告。

输出要求：

I3C模块设计方案及SystemVerilog代码。
I3C模块模块测试平台方案及SystemVerilog代码。
测试点分解及测试用例代码。
功能覆盖率报告。

评分细则

完成设计方案及代码编写，满足题目要求的所有功能点。（30分）

方案和代码各占15分。用标准的测试平台和测试用例进行测试，每漏掉一个功能点扣1分。

完成测试平台及测试点分解方案及编码，并通过VeriSim仿真。（30分）

方案和代码各占15分。测试点需要覆盖题目要求的所有功能点，包括正常情况和异常情况。遗漏一个测试点或测试不完备扣1分，仿真不通过的用例扣1分。

功能覆盖率。（20分）

统一用标准的功能覆盖率定义测试用户的测试用例，并统计功能覆盖率。覆盖率小于60%计0分，100%计20分，以此类推。

编码质量及测试效率。（20分）

从两个指标评判：（1）每仿真1ms所需的CPU时间。（2）最高内存占用。这两个指标各占10分，分别将学员的数据排序，值越低，得分越高。

软件申请表下载

概伦电子为创芯大赛参赛队伍提供赛题所需的 VeriSim与MeQLab工具，参赛队伍可通过申请获取，申请表下载链接如下：

https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=ee1398994b844c42a36c8452f65a5499

赛题二: HEMT器件的建模与验证

描述及要求

任选一类HEMT器件（GaN HEMT、GaAs pHEMT、InP HEMT等），基于自选数据，使用概伦电子MeQLab平台开展建模提参，完成全流程任务。总分100分，无额外附加分，所有得分点均为报告可核查项。

模型选型要求：根据器件特性与应用场景，自主选择紧凑模型（ASM-HEMT、Angelov、EEHEMT、自建Verilog-A模型等），需在报告中明确选型依据。

数据来源二选一：

路径A（实测数据）：自主完成HEMT器件测试，获取直流I-V、C-V、脉冲I-V、变温等建模必备数据；

路径B（仿真数据）：采用Sentaurus、Silvaco、Victory Device等TCAD工具，仿真生成虚拟器件标准数据。

任务模块及权重

任务模块	具体内容	分值权重
T1：器件物理分析	分析所选HEMT器件的结构、工作原理及关键物理效应	15分
T2：数据获取方案设计	设计完整的数据获取方案（实测/TCAD仿真），并获取建模所需数据	20分
T3：模型参数提取	基于选定紧凑模型，规范提取核心模型参数	35分
T4：模型验证与优化	验证模型精度，分析误差来源并提出优化方案	20分
T5：技术报告撰写	完整撰写建模全流程技术报告，规范呈现所有成果	10分

统一评分标准

T1：器件物理分析（15分）

评分项	分值	优秀(13.5-15分)	良好(10.5-13.4分)	合格(9-10.4分)
器件结构与原理	4分	完整描述异质结结构、2DEG形成机制、材料体系核心特性，物理逻辑严谨	描述基本工作原理，物理深度不足，部分机制未阐释	仅描述外观结构，无物理归因与原理分析
直流特性分析	4分	完整分析转移/输出特性与偏置、尺寸、温度的关联依赖关系，定量阐释变化规律	分析主要特性曲线，部分依赖关系未覆盖、无定量分析	仅描述曲线形状，无关联规律分析
关键物理效应	4分	针对性分析器件专属关键效应（GaN：陷阱效应/动态Ron退化/自热；pHEMT/InP HEMT：高频色散/噪声等），阐释机制清晰	提及关键效应，机制分析不完整、无定量关联	仅罗列效应概念，无机制阐释
应用场景关联	3分	深度结合器件特性，匹配功率/射频/毫米波等场景，说明建模工程价值	初步关联应用场景，价值分析浅显	无场景关联与价值分析

T2：数据获取方案设计（20分）

评分项	分值	优秀（18-20分）	良好（14-17.9分）	合格（12-13.9分）
方案设计完整性	6分	全覆盖建模必备项目（直流I-V、C-V、温度特性、脉冲/S参数等），贴合器件类型	覆盖核心项目，1-2项次要测试/仿真项缺失	关键测试/仿真项目缺失，无法满足建模需求
方案设计合理性	6分	偏置范围、步长、测试/仿真条件科学合理，完全覆盖建模全区间	偏置与参数设置基本合理，局部区间未覆盖	参数设置不合理，核心建模区间缺失
数据质量	8分	数据完整无缺失、噪声极低/网格收敛性优，可直接用于建模	数据完整度较高，轻微噪声/收敛波动，不影响核心建模	数据缺失严重、噪声过大/不收敛，无法支撑建模

器件专属测试/仿真基准（统一纳入评分，原附加分内容并入基础评分）：

GaN HEMT：含直流I-V、C-V、脉冲I-V、变温特性、pulse-spar；

GaAs pHEMT：含直流I-V、C-V、多偏置S参数、噪声参数；

InP HEMT：含直流I-V、C-V、多偏置S参数（毫米波频段）。

T3：模型参数提取（35分）

评分项	分值	优秀(31.5-35分)	良好(24.5-31.4分)	合格(21-24.4分)
几何参数设定	2分	器件尺寸、栅长等几何参数精准设定，与实测/仿真一致	几何参数基本准确，微小偏差	几何参数错误，与器件不符
核心I-V参数提取	6分	精准拟合转移/输出特性主干，直流I-V平均相对误差<5%	较好拟合主干曲线，误差5%-10%	基本拟合曲线，误差10%-15%
二阶效应参数提取	5分	精准拟合沟道调制、DIBL等效应，参数物理意义清晰	基本表征二阶效应，部分参数拟合偏差	未有效表征二阶效应
C-V参数提取	5分	精准拟合Cgg、Cgd、Cds曲线，误差<8%	较好拟合容性曲线，误差8%-12%	基本拟合趋势，误差12%-15%
温度参数提取	4分	精准拟合变温特性，温度关联规律完全匹配	较好拟合变温趋势，局部偏差	仅拟合单一温度，无变温关联
特殊效应参数提取	5分	完整提取陷阱、自热、噪声等专属效应参数，表征精准	基本提取特殊效应参数，表征偏差	未有效提取特殊效应参数
全局优化与工具使用	4分	全局优化到位，误差平衡最优；熟练使用MeQLab全功能（数据导入、脚本提参、验证），报告可核查操作痕迹	全局优化一般，局部误差偏大；掌握MeQLab基础功能，核心操作可核查	无全局优化，误差失衡；仅会MeQLab基础操作，痕迹不完整

T4：模型验证与优化（20分）

评分项	分值	优秀（18-20分）	良好（14-17.9分）	合格（12-13.9分）
拟合误差分析	6分	误差计算方法规范，全偏置点、多尺寸误差统计表完整清晰	误差计算正确，统计表基本完整	误差计算有误，统计表缺失核心数据
物理性检验	4分	所有提取参数均在合理物理范围，无物理矛盾	参数基本合理，无核心物理矛盾	存在参数物理异常、逻辑矛盾
外推能力验证	6分	选取≥2个外推点（偏置/尺寸/频率），预测误差<15%	选取≥2个外推点，预测误差15%-20%	外推点不足2个，预测趋势偏差较大
模型优化建议	4分	误差来源归因精准合理，优化方案具体可行	误差归因基本合理，优化方案较笼统	误差归因错误，无可行优化思路

器件专属验证基准（统一纳入评分，原附加分内容并入基础评分）：

GaN HEMT：验证动态Ron退化预测能力；

GaAs pHEMT：验证大信号特性（1dB压缩点、IMD3）；

InP HEMT：验证高频（>100GHz）S参数预测能力；

T5：技术报告撰写（10分）

评分项	分值	优秀（9-10分）	良好（7-8.9分）	合格（6-6.9分）
报告规范性	10分	结构完整、逻辑清晰、图表规范、数据详实、参考文献合规，全流程可追溯	结构完整、表述通顺， minor图表/格式问题	结构残缺、表述混乱，核心数据缺失

跨器件公平评判规则

统一评分尺度：所有HEMT器件类型均执行上述同一套评分标准，不针对单一器件设置倾斜分值；

难度系数折算（内置评分逻辑）：针对器件工艺复杂度、建模难度差异化，在“参数提取、模型验证”环节，同等拟合精度下，InP HEMT（毫米波高频）、GaN HEMT（功率陷阱效应）难度权重高于GaAs pHEMT，由评委组判定难度适配分值；

核查基准一致：所有队伍均核查数据完整性、拟合误差、参数物理性、报告可追溯性四大核心指标，量化打分杜绝主观偏差；

同分判定规则：总分相同时，依次对比直流I-V误差、外推预测精度、特殊效应表征精度、报告规范度，决出排名；
工具使用一票否决：选题必须采用 MeQLab 进行建模与参数提取，使用其他建模提参工具的直接判定为不合格；补充说明：数据获取阶段所用的 TCAD 仿真工具（如 Sentaurus、Silvaco 等）不受此限制，若部分仿真工具存在功能不支持情况，需在报告中详细说明替代方案及理由，经评委审核确认后可正常参与评分。

软件申请表下载

概伦电子为创芯大赛参赛队伍提供赛题所需的 VeriSim与MeQLab工具，参赛队伍可通过申请获取，申请表下载链接如下：

https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=ee1398994b844c42a36c8452f65a5499

赛题三：自选器件的建模与验证

描述及要求

本题采用约束框架+自主创新模式，参赛选手在指定范围内自选器件，完成从结构分析到模型提取的全流程建模，总分100分，所有得分点均为报告可核查项。

器件选型约束范围：

先进硅基器件：FinFET、GAAFET、SOI MOSFET、LDMOS、CFET；

化合物半导体器件：GaN HEMT、SiC MOSFET、InP HBT、GaAs pHEMT；

新型特色器件：辐照加固型器件、高频噪声器件、功率集成器件。

任务模块及统一评分标准

任务1：器件结构与工艺分析（15分）

评分项	分值	优秀(13.5-15分)	良好(10.5-13.4分)	合格（9-10.4分）
器件选择与结构绘制	7分	选型符合约束范围，剖面结构图、版图/等效示意图精准，关键区域、尺寸标注完整清晰	选型合规，结构图标注基本完整， minor缺失	选型不合规或结构图标注残缺、关键信息错误
工艺流程与关键指标	8分	完整给出≥6步标准工艺流程，关键电性指标齐全，精准匹配应用场景，建模价值阐释深刻	工艺流程≥6步，指标基本齐全，场景匹配合理，价值分析浅显	流程残缺、指标缺失，无场景匹配与建模价值分析

任务2：物理效应与模型表征（20分）

评分项	分值	优秀（18-20分）	良好（14-17.9分）	合格（12-13.9分）
关键物理效应分析	10分	深度阐述≥3种核心物理效应，结合实测/仿真数据定量分析，机制阐释清晰	阐述≥3种效应，结合数据定性分析，机制分析不完整	效应数量不足3种，无数据支撑，仅罗列概念
模型物理效应表征	10分	模型选型合理，清晰阐释参数控制逻辑，标准模型不足时提出可行改进思路，贴合物理机制	模型选型合理，基本说明参数控制逻辑，改进思路笼统	模型选型不当，未说明参数控制逻辑，无改进思路

任务3：参数提取与建模（35分）

评分项	分值	优秀(31.5-35分）	良好(24.5-31.4分)	合格(21-24.4分)
测试方案设计	10分	方案完整覆盖： 1.直流测试:转移特性、输出特性、变温测试 2.交流/射频(如适用): C-V测试、S参数测试、脉冲测试 3.特殊测试(根据器件特点):如噪声测试、pulse-spar 参数（GaN HEMT 适用） 4.测试条件选型理由充分(如偏置点、频率范围、脉冲宽度等)，贴合器件特性	方案覆盖核心测试项目，条件选型理由基本合理	方案残缺，关键测试缺失，条件选型无依据
提参流程设计	15分	分步骤提参流程清晰规范，参数物理意义明确，提取方法科学；自建模型需给出完整方程与释义	提参流程基本清晰，参数意义明确，方法可行	流程混乱，参数意义模糊，提取方法不当
参数提取结果	10分	参数提取精准，拟合曲线与原始数据高度契合，误差达标	参数提取基本准确，拟合趋势一致，误差可控	参数提取错误，拟合偏差极大

任务4：模型文件/数据和工程提交与拟合误差（20分）

评分项	分值	优秀（18-20分）	良好（14-17.9分）	合格（12-13.9分）
模型文件/数据和工程提交	8分	提交完整 SPICE/Verilog-A 模型文件、建模原始数据及 MeQLab 工程文件，代码规范、注释清晰，可直接调用仿真，数据与工程文件可追溯核查	模型文件、原始数据及 MeQLab 工程文件完整，代码基本规范，可正常调用，核心数据与工程痕迹可追溯	模型文件、数据或工程文件缺失、代码错误，无法调用或追溯
拟合误差报告	12分	拟合图表完整清晰(数据点与模型曲线叠加），各偏置误差统计详实，关键参数置信区间分析精准，拟合精度优异	拟合图表、误差报告齐全，置信区间分析基本完整	图表残缺，误差统计缺失，无置信区间分析

任务5：创新性与规范度（10分）

评分项

分值

优秀

良好

合格

创新性

8分

1.完全自研器件或首次建模新型器件-2分；

2.先进工艺节点-1分；

3.开展特殊工艺 / 特殊效应（如辐照效应、热载流子效应等）研究-2分；

4.实现模型创新性：在标准模型基础上新增物理效应表征-2分；

5.完成大信号 / 电路验证：利用模型进行应用电路仿真验证-1分

规范度

2分

所有创新点均提供完整佐证材料（器件结构、模型推导、仿真数据、电路结果等）-2分

提供大部分佐证材料，核心流程可追溯，创新点有一定工程 / 学术意义-1分

佐证材料不完整，部分流程缺失-0分

公平评判规则

创新点量化打分：创新点需贴合科研/工程实际，具备可核查的改进效果（如精度提升、效应表征完善），杜绝空泛创新。
横向对比基准：同类型器件统一对比拟合精度、流程规范性、创新实用性；不同类型器件按建模难度集体折算分值，确保公平；
同分判定规则：总分相同时，依次对比模型精度、物理效应表征、创新实用性、报告规范度。
工具使用一票否决：选题必须采用 MeQLab 进行建模与参数提取，使用其他建模提参工具的直接判定为不合格；补充说明：数据获取阶段所用的 TCAD 仿真工具（如 Sentaurus、Silvaco 等）不受此限制，若部分仿真工具存在功能不支持情况，需在报告中详细说明替代方案及理由，经评委审核确认后可正常参与评分。

软件申请表下载

概伦电子为创芯大赛参赛队伍提供赛题所需的 VeriSim与MeQLab工具，参赛队伍可通过申请获取，申请表下载链接如下：

https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=ee1398994b844c42a36c8452f65a5499