极海企业命题专项奖设置:极海企业命题专项奖专门用于奖励选择极海企业命题的赛队，极海企业命题专项奖是初赛奖，由企业专家评出。入围决赛的参赛队伍继续参加大赛决赛奖项评比，与初赛奖项互不冲突。极海企业命题专项奖设：一等奖2队，每队奖金1万元二等奖4队，每队奖金0.5万元极海-创芯大赛人才政策:极海公司鼓励从创芯大赛获奖学生中挖掘人才，并在校招中为获奖团队、优秀参赛团队成员提供岗位直通资格。获得极海专项奖团队成员将直接进入部门终试环节；获得二等奖以上团队成员可直接进入综合面试；进入决赛的学生可免笔试。答疑邮箱：edu@geehy.com赛题文档下载https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=3b5a0ee02e0b47dea98544aa26f7f3e7赛题一：16位3MSPSSARADC设计-视频介绍https://www.bilibili.com/video/BV1oM4m1f7ye赛题二方向1：低功耗蓝牙(BLE)射频前端功率放大器(PA)设计-视频介绍https://www.bilibili.com/video/BV1Eq421F7uT赛题二方向2：低功耗蓝牙(BLE)射频前端低噪声放大器(LNA)设计-视频介绍https://www.bilibili.com/video/BV1rZ421Y7a7赛题一：16位3MSPSSARADC设计选题背景ADC作为模拟域与数字域的桥梁，其采样率与有效精度往往是系统的瓶颈之一。在工业应用SOC芯片设计中，中高精度、低功耗及MHz采样率的ADC最为常见，且其精度要求逐步从12位向14/16位提高。与单芯片不同，SOC芯片中对功耗面积都有严格要求，这就需要创新架构与校准算法设计。工艺：110nmLogic/Mixedprocess，优先国内工艺外部提供模拟AVDD与数字DVDD电源，时钟（频率匹配设计）以及基准电路。描述及要求（基础）：1.电气规格如下：Temp.=-40°Cto+105°C;AVDD=3.0Vto3.6V;ADCcalibratedatT=25°C.SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnitAVDDADCanalogpowersupply3.03.33.6VPwpowerconsumptionaveragingwithoutreferencebuffer--10mWResolutionADCresolution-16-bitsVADCINanaloginputvoltage0-AVDDVfADCINinputsignalfrequency0-500KHzFssamplingfrequency--3MSamples/sSNDRSignaltoNoise&DistortionRatiodifferentialmode，fADCIN=500KHz8085-dBSFDRSpuriousFreeDynamicRangedifferentialmode，fADCIN=500KHz-94-dBAreaSiliconSize110nmLogic/Mixedprocess--0.15mm^2CREFVREFexternalcap/4.7/uF*：Allstaticanddynamicparametersaretestedaftercalibration2.Matlab模型设计；3.校准算法设计。描述及要求（加分）：1.上述面积包括数字综合后的部分；2.加分：有创新意义的架构与校准算法设计；评审得分点：1.架构设计占总分30%，电路设计占总分60%，报告占总分10%；2.架构合理，包含非理想因素（如增益，速度，噪声），推导并通过模型验证；3.满足电气参数表规格；4.FOMs=SNDR+10log(Fs/2/Pw)越高，得分越高；5.相近FOMs值，电路面积越小，得分越高。输出要求：1.技术总结与前瞻分析；2.架构模型与仿真报告；3.模拟前端电路数据与仿真报告（TTcorner下）。答疑邮箱：edu@geehy.com赛题二子方向1：低功耗蓝牙（BLE）射频前端功率放大器（PA）设计选题背景低功耗蓝牙(BLE)技术已成为一种应用于无线设备的短距离通信流行解决方案，尤其是BLE通信传输距离延伸后对自动化、工业控制、智慧家庭等应用变得更加实用，因此BLE不仅具有科学研究意义而且还具有重要的应用价值和广阔的市场前景。低功耗蓝牙技术规范中对发射机的发射功率要求较为宽松，只要发射功率在-20dBm～10dBm范围内都被允许。杂散辐射是发射机非常重要的指标，分为带内杂散辐射和带外杂散辐射，它是指用有用基带信号发射时引起的边带以及邻道以外离散频率上的辐射。描述及要求（基础）：1.电气规格如下：Temp.=-40°Cto+125°C;VDDA=1.8V;PAMINTYPMAXUNITOutputpower-206dBmFrequencyrange24002483.5MHzOutputpowervstemperature(0dbm)1.5dBOutputpowervstemperature(6dbm)2dBOutputpowervsfrequency0.5dBSpuriousemissionsoutofband-47dBmSpuriousemissionsofharmonics-47dBmSpuriousemissionsoffset1BW-16dBmSpuriousemissionsoffset2BW-26dBmSpuriousemissionsinband6dBm±2M-41dBm0dBm±2M-48dBm6dBm±3M-47dBm0dBm±3M-54dBmPowerconsumptionPout=0dBm3.2mAPout=6dBm7.2mAArea75000um²2.架构设计；3.电路设计与仿真。描述及要求（加分）：1.功耗优于规格参数将按超出的比例获取相应的加分；2.面积优于规格参数将按超出的比例获取相应的加分；3.系统集成度越高越好，如设计中需要使用电感（或者balun），要求必须是片上集成，不支持片外电感（或者balun）以及bonding电感的设计思路，电感（或者balun）也应作为该PA的一部分计入总面积中。评审得分点：1.架构设计占总分30%，电路设计与仿真占总分50%，报告占总分20%；2.架构选取要求包含基于性能指标的理论分析以及目前主流产品的性能对比3.电路设计和仿真满足电气参数表规格；4.电路面积、功耗越小，得分越高。输出要求：1.技术总结与前瞻分析（着重当前架构的实现方式）；2.电路架构参数与仿真报告，需要有各仿真项的仿真平台，输入输出寄生参数（以QFN封装为标准，bonding及片内寄生的正常范围内取值均可），仿真条件设置等。Spuriousemissions仿真可通过PA高次谐波及三阶交调来评估，采用HB/PSS/Tran等仿真方式。PA输出功率随温度及频率变化指标在其他指标符合要求的前提下可适当放宽；3.PA电路数据与仿真报告（典型corner和PVT下）。答疑邮箱：edu@geehy.com赛题二子方向2：低功耗蓝牙（BLE）射频前端低噪声放大器（LNA）设计选题背景低功耗蓝牙(BLE)技术已成为一种应用于无线设备的短距离通信流行解决方案，尤其是BLE通信传输距离延伸后对自动化、工业控制、智慧家庭等应用变得更加实用，因此BLE不仅具有科学研究意义而且还具有重要的应用价值和广阔的市场前景。为了延长电池的寿命，通常BLE设备需要长期稳定的工作，低功耗设计是BLE技术最重要的要求。BLE射频芯片是BLE设备中的关键芯片，同时也是功耗占比最大的芯片，如何在满足BLE射频指标要求的同时，实现低功耗和低成本的射频芯片设计一直是科研人员关注的问题。描述及要求（基础）：电气规格如下：Temp.=-40°Cto+125°C;VDDA=1.1Vto1.3V;LNAMINTYPMAXUNITRFfrequencyrange24002483.5MHzInputimpedance50ΩNoiseFigure68dBS11-12-10Gain122024dBGainstep4dBIIP3-35-30dBmIIP2-30-10dBmP1dB-45-40dBmPowerconsumption0.91.1mAArea60000um²2.架构设计；3.电路设计与仿真描述及要求（加分）：1.功耗优于规格参数将按超出的比例获取相应的加分；2.面积优于规格参数将按超出的比例获取相应的加分；3.系统集成度越高越好，如设计中需要使用电感（或者balun），要求必须是片上集成，不支持片外电感（或者balun）以及bonding电感的设计思路，电感（或者balun）也应作为该LNA的一部分计入总面积中。评审得分点：1.架构设计占总分30%，电路设计与仿真占总分50%，报告占总分20%；2.架构选取要求包含基于性能指标的理论分析以及目前主流产品的性能对比；3.电路设计和仿真满足电气参数表规格；4.电路面积、功耗越小，得分越高。输出要求：1.技术总结与前瞻分析（着重当前架构的实现方式）；2.电路架构参数与仿真报告，需要有各仿真项的仿真平台，输入输出寄生参数（以QFN封装为标准，bonding及片内寄生的正常范围内取值均可），仿真条件设置等。LNA单端输出，可用后级级联的无源混频器作为其负载进行仿真；3.LNA电路数据与仿真报告（典型corner和PVT下）。答疑邮箱：edu@geehy.com第七届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第七届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，学院是全国同时拥有国家集成电路学院、国家集成电路产教融合创新平台、国家示范性微电子学院、国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科等集成电路领域五大国家级人才培养学科平台的6所高校之一。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。

华为各个赛题的答疑邮箱都不一样，请留意勿发错。华为赛题专项奖设置:华为企业命题专项奖专门用于奖励选择华为企业命题的赛队，华为企业命题专项奖是初赛奖，由企业专家评出。入围决赛的参赛队伍继续参加大赛决赛奖项评比，与初赛奖项互不冲突。华为专项奖设：特等奖2队，每队奖金2万元一等奖6队，每队奖金1万元二等奖16队，每队奖金0.5万元华为-创芯大赛人才招聘政策：华为公司鼓励部门从创芯大赛获奖学生中挖掘人才，并在招聘中提供quickpass政策。参加创芯大赛的获奖学生，投递芯片类岗位：获全国二等奖三等奖学生，可以免机考。获一等奖及以上学生，免机考和一轮专业面试。华为专项奖等级等同全国奖对应等级待遇。华为赛题文档下载：https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=2e69760b505c40bbb83595f44228a592华为赛题视频讲解：正在上线「中国研究生创芯大赛」B站赛题一：5~7G高线性度TX设计赛题描述及要求（基础）：频率范围：5GHz~7GHz；增益范围：5dB~35dB；增益Step：1dB；S21Gainripple:<1dB(@320MHzBW，越小越好);输入差分100欧姆，输出单端50欧姆；Psat:>30dBm；OP1:>28dBm;OIP3:>35dBm(双音频率间隔1MHz~100MHz，Pout@20dBm/tone);PeakPAE:>35%;2nd、3rdHarmonic<40dB@6dB_PBO；PAE@6dB_PBO:>27%(相对于Psat回退)；AMAM:<1；AMPM:<5o@OP1；电源电压：可根据工艺自己选择合适电压域，变化范围+/-5%；结温范围：−20℃至+85℃；建议使用标准CMOS工艺；赛题评审得分点：有完整的电路原理图、版图及前后仿结果，需要考虑实际应用封装及板级寄生。电路稳定性必须保证，要有稳定性仿真结果。OIP3、Peak_PAE、PAE@6dB_PBO等性能越好，得分越高。关键版图寄生必须采用电磁仿真抽取，整版电磁仿真是加分项。需要提供PVT仿真结果；需要有电路可靠性分析。需要有设计文档，文档中要体现具体设计思路(如电路指标分析分解、架构选取、关键指标的设计分析、core管类型及尺寸的选取依据、匹配网络的设计考虑、版图寄生的影响等)。版图布局合理，面积紧凑。查询业界典型产品或paper的指标，分析差距存在的原因，和可能的改进方向。赛题输出要求：详细的设计说明文档。电路版图。电路原理图及仿真TB设置说明。赛题一：5~7G高线性度TX设计-专家答疑邮箱：fankai1@huawei.com赛题一：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998748557681410048赛题二：高灵敏度能量收集系统设计赛题描述及要求：设计一个灵敏度-30dBm2.4GHz能量收集系统；最大输入能量-15dBm;输出直流电压0.8V;0.8V输出直流电压精度在PVT下±3%（可在常温下校准），纹波小于10mV;在输入能量范围内，0.8V输出电流大于10nA;仿真中匹配元件采用真实元件模型;工艺自选，优选标准CMOS工艺;温度−40℃至+85℃；赛题评审得分点：详细设计和仿真报告，包含系统框图、原理分析和仿真数据等。实现收集2.4GHz射频能量，输出0.8V稳定直流电压的基本功能。灵敏度高于-30dBm，启动能量越低越好，小于-30dbm作为加分项。0.8V电压精度和纹波满足要求。0.8V输出电流越大越好。赛题输出要求：详细设计报告：内容包含但不限于系统框图、系统&子模块工作原理分析、子模块指标分解和电路原理图。仿真报告：内容需包含子模块及完整系统的仿真条件、仿真电路、仿真波形及仿真结果分析，仿真波形包括但不限于DC/AC/TRAN/MC。电路原理图及仿真电路数据库。赛题二：高灵敏度能量收集系统设计-专家答疑邮箱：fankai1@huawei.com赛题二：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998750194513260544赛题三：宽谱MUX_DEMUX设计描述及要求：设计宽谱的1x2mmi/2x2mmi/1x3mmi；采用上图中的波导结构，芯层折射率参考范围如右图，hco范围参考：200~300nm；全波段(1450~1650)范围内做到低插损（<0.3dB）/低回损（<50dB）；仿真模拟分束和合束两种情况下的性能；多模干涉主体结构中最小图形的尺寸需要>1um；评审得分点：功能正确实现；3种结构可以任选，完成度越高，得分越高；谱宽越高（评价标准为0.2dB带宽），得分越高；分束/合波回损越低，得分越高；尺寸越小，得分越高；工艺可实现，容差越高（宽度/长度变化对性能影响小），得分越高；输出要求：详细设计文档；仿真模型；赛题三：宽谱MUX_DEMUX设计-专家答疑邮箱：liugonghai@hisilicon.com赛题三：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998757766271225856赛题四：timing-path-aware物理设计划分赛题描述：在前端设计、逻辑综合、物理设计、设计验证等芯片设计流程的不同阶段中，设计划分都发挥着基础性的作用。具体来讲，在物理设计过程中，设计划分可以在下面这些示例场景下发挥作用：1.基于机器学习在物理设计早期对物理设计PPA的预测。由于在真实的物理设计过程中，获取大量不同设计、不同版本的物理设计数据作为机器学习训练集是较为困难的，因此需要基于设计划分将一个设计划分成较多的partition来扩充训练数据集，以达成对机器学习模型的训练。2.对物理设计的分析、规划与优化。在物理设计中，需要对设计的不同部分及之间的关系进行分析，定位优化机会与问题（例如对数据流的分析、对时序/功耗/congestion瓶颈的定位等），以形成bound、pathgroup等约束以对设计进行规划与优化。这个过程中需要首先按照具体的分析需求对设计进行合理的划分。在placement过程中，由于flatten的设计规模太大，直接处理比较困难，也可以基于层次化的设计划分来优化和加速placement过程。对设计的划分一般以graph这一数据结构承载，其由节点（node）、边（edge）和节点与边的属性组成。围绕物理设计中的设计划分问题，本赛题为timing-path-aware物理设计划分，要求参赛者首先使用graph来建模设计网表，然后根据下述要求开发设计划分算法。赛题约束条件：每个partition内不能有中断的timingpath，即划分得到的不同partition以时序路径端点（寄存器/mem/io等）为边界。划分得到的partition规模比较均衡，在指定的规模上下界内。partition规模为partition内部全部instance的加权求和。例如当权重为1，则partition规模为instance数量。当权重为instance面积，则partition规模为其内部instance总面积。指定的划分份数。赛题优化目标：划分中的edgecut规模大小。edgecut规模为被切断的边数量的加权求和。例如当权重为1，则edgecut规模为切断的边的数量。在1的基础上，尽可能降低partition之间的重合度。Partition之间的重合度可以表示为所有partition中的instance数量之和与网表中instance数量的差值。赛题基础得分点:能够用graph对网表和物理设计信息建模并达成要求的基本划分功能。算法各阶段的时间复杂度与空间复杂度。划分份数和划分规模上下界相同条件下的edgecut规模尽量小。赛题评审加分点:在不指定划分份数的条件下自动确定最优份数（例如通过最大化communitymodularity等方式）。划分结果与placement物理位置关联度高，即同一partition内的instance在placement后也大概率聚集在一起。衡量partition规模时，还能够考虑edge的权重对partition规模的贡献。赛题说明:为了统一评价标准，在测试过程中，衡量节点和边规模的权重统一设置为1，划分数量设置为网表instance数量的2%、1%、0.5%、0.25%、0.1%、0.05%、0.02%和0.01%，划分规模上界为instance数量/划分数量，下界为0。注意，最终得分一方面取决于在基础得分点的表现，另一方面也取决于在加分点上的表现，是各方面的综合权衡。赛题测试数据集:OpenC906，https://github.com/T-head-Semi/openc906该设计为开源设计，参赛选手可以自行将其编译成网表并执行物理设计流程，将得到的数据作为测试数据。赛题附件c906.v：https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=da2f3a7af73a40cc9abb2a7087703c89赛题四：timing-path-aware物理设计划分-专家答疑邮箱：liuyang169@hisilicon.com赛题四：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998757896996577280赛题五：硅前开发阶段侧信道攻击/故障注入攻击的模型设计及分析仿真测评描述及要求：1.选择任意一个模块：例如加密算法单元模块或者处理器CPU单元模块，可采用自实现的代码或开源代码；2.深入分析RTL阶段侧信道泄露（功耗信息泄露）或故障注入产生（激光注入、电压毛刺注入等）的机理；3.建立硅前RTL阶段的侧信道或故障注入仿真评估流程，侧信道攻击仿真或故障注入仿真至少完成一种；4.理论分析仿真测评流程与实际芯片在侧信道攻击或故障注入攻击条件下的效果等价性；5.在FPGA平台或者EDA平台上进行仿真测试，来验证理论分析的结论；6.仿真测试平台工具：EDA平台或者FPGA平台，不能借助实际的侧信道采集或故障注入工具、软件工具不限制；评审得分点：1.能够建立完整的硅前侧信道攻击或故障注入攻击仿真评估流程；2.仿真测评方式与实际芯片在侧信道或故障注入条件下的效果等价性论述越清晰越合理得分越高；3.需要在实际的仿真平台上进行验证：例如FPGA平台或EDA平台；输出要求：1.硅前侧信道攻击仿真及故障注入攻击仿真的评估流程文档、分析文档、攻击脚本等文件；2.实现代码以及实验数据；赛题五：硅前开发阶段侧信道攻击/故障注入攻击的模型设计及分析仿真测评-专家答疑箱：maoshaowu@huawei.com赛题五：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998757879707656192赛题六：高精度基准源设计题目介绍要求设计一款高精度基准源，包含电压基准与电流基准，需要综合考虑工艺选型、功耗、面积、可靠性等全方面的约束，并且在全corner/MC下方案验证通过；主要考察设计人员基础电路设计能力、电路指标分解、关键参数计算等能力。电路端口说明端口名类型端口说明AVDD12INOUT1.2V电源（模拟电源）VDD075INOUT0.75V电源（数字电源）AGNDINOUT地电平PDIN0.75V电源域控制信号；高电平：PD；低电平：work；CLK_10MIN10MHz输入时钟信号VREF08OUT零温输出电压，0.8VIBP10UOUT零温系数输出电流，10uA，PMOS管输出IBP10U_PTATOUT正温系数输出电流，10uA，PMOS管输出VBPINOUT内部反馈环路断点，配合VBPX一起使用，用于环路稳定性仿真VBPXINOUT内部反馈环路断点，配合VBP一起使用，用于环路稳定性仿真PVT验证收标准根据PVT要求，每个仿真case遍历以下组合（1）Process:SSFFTTFSSF（2）AVDD12:1.141.21.32（3）VDD075：0.6750.750.825（4）Temperature:-40度55度125度规格及验收场景说明电路总分数100分，其中SPEC达成占80分，面积达成占10分，可靠性达成占10分；SPEC达成参考下表，具体方案按照spec底线与优值牵引，SPEC满分80分。面积达成要求：总面积为xxmm2按照达成比例/排名得分，满分10分。可靠性仿真：Aging，Dynamic-EOS，满分10分；电路除了自选PDK及设计库外不允许使用任何理想元件，一旦发现直接判为0分；仿真TB需要规范，仿真设置与SPEC要求不对应的仿真项判为0分；如仿真项/PVT有遗漏的根据遗漏比例扣分；参数测试条件MinTypMaxUnit评分电源电压AVDD121.141.21.32V条件VDD0750.6750.750.825V条件工作温度Temp-4055125oC条件正常工作模式输出电压（10分）档位VREF080.8V±3%，10分，±5%,，6分，不满足，0分精度Δvout-5+5%输出偏置电流（10分）IBP10U_PTATPVT5u10u20uuA5分IBP10UPVT9.51010.5uA±3%，5分，±5%，3分，不满足，0分VREF08PSRR（MC仿真4sigma）(20分)10Hz-60-30dB<-60,10分<-30,5分>-30，0分10kHz-50-40<-50,5分<-40,3分>-40，0分1MHz-13-9<-13,5分<-9,2分>-9，0分VREF08NOISE(20分)100Hz1100013000nV/sqrt(Hz)<11000,5分<13000,3分不满足，0分1kHz40004500<4000,5分<4500,3分不满足，0分10kHz15002000<1500,5分<2000,3分不满足，0分>100kHz500600<500,5分<600,3分不满足，0分环路稳定性（10分）PhaseMargin4050度>50,5分>40,3分不满足，0分简并点（5分）1个满足5分，不满足0分功耗(10分)正常工作模式（5分）AVDD12100200uA<100，3分<200,2分不满足，0分VDD075810uA<8，2分<10,1分不满足，0分PD(5分)AVDD121020uA<10，3分<20,2分不满足，0分VDD0750.51uA<0.5，2分<1,1分不满足，0分面积（10分）总面积为xxmm2，按照达成比例/面积排名得分；可靠性（10分）PVT下可靠性仿真，要求Aging全部通过5分，Dynamic-EOS仿真通过5分；输出要求电路选型与系统方案报告；（包含工艺选型、系统方案分析、达成度分析）电路详细设计报告；（包含电路指标拆解、关键指标计算、原理分析、电路schematic与说明，电路仿真结果，版图布局与面积说明）电路原理图与版图；（完整的电路原理图、版图（照片））附：FAQ：1、功耗测试条件里分的AVDD和DVDD是指模拟模块功耗和数字模块功耗，这样理解对吗？答复：是的，提供一个模拟1.2V电源用来给BG供电，提供一个0.75V是系统数字的电源，数字电源用来电路内部控制逻辑电源。2、功耗＜200得3分，功耗＜100得两分，这个是不是写反了？答复：题目打印错误，已更正：＜100得3分，功耗＜200得2分。3、赛题六的带隙，能否使用triming？如果可以使用triming的话，是不是意味着可以增加电路的端口，用来实现triming？答复：该电路无预留trim档位设计，不能增加端口PIN。4、高精度基准源设计中，10MHz输入时钟信号起什么作用。答复：10M时钟信号根据电路架构选用，选用架构可以达成指标的，可以不使用。5、版图面积是否包含PIN。答复：版图面积只包含BGcore，不包含PIN/ESD等其他相关面积，不需要考虑外围设计。6、面积如何评价。答复：面积根据所有考生达成面积的排名给分数，希望大家能争取面积竞争力。7、是否所有端口都要用到；答复：根据选用架构选用端口，没有明确规定必须要用所有端口。8、比赛是否只根据spec得分？结构创新点是否能加分？答复：当前只根据SPEC得分，有效的架构创新和相关优化措施可以在SPEC或者面积等方面体现。9、赛题要求不允许使用所选PDK之外的任何理想元件，那么TB中电路端口的输入信号，如电流/电压/时钟信号是需要搭建相关电路么？答复：电路中不允许使用理想元器件，电路指的是交付搭建的电路。TB中可以使用任何器件来辅助仿真。10、SPEC中对VREF08和IBP10U精度的要求为±3%是修调之前的精度要求吗？答复：该考题未规划修调措施；±3%即使最终达成目标。赛题六-高精度基准源设计专家答疑邮箱：baiwenbin@huawei.com赛题六：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998761939822751744赛题七：高效的路径搜索算法设计简要介绍：高效的路径搜索算法在布线中具有重要的价值,现简化问题如下:给定一个带权有向图G，寻找一条从起点S到终点D的路径，要求最小化所有边权重之和与所有节点权重之和，具体要求见下面的公式(1)。描述及要求：带权有向图G：节点数量>1M,每个节点的权重为0或1，边的权重为自然数。每个节点的权重（边的权重需要通过图的信息计算出来，详见“输入/输出文件格式说明”的“1.3”。）起点S与终点D。在有向图G中寻找到从起点S到终点D的一条路径，最小化路径中所有边权重之和(sum_edgeweight),最小化路径中所有节点权重之和(sum_vertexweight)，最小化runtime。(提示：允许对图的拓扑信息进行预先处理，并作为输入以辅助加速搜索)说明：详见“输入/输出文件格式说明”的“1.图的定义”和“2.问题输入”，只给出部分测试用例集。评审得分点：算法设计方案文档描述清晰，方案合理；实现算法的功能正确，能够在图中寻找到合法路径；算法能高效地寻找到对应路径且优化QoR，打分函数如下，Cost越低得分越高QoR=sum_edgeweight+3*sum_vertexweight(1)Cost=QoR*(1+Runtime_Factor)(2)每5%runtime对应1%QoR，最大影响+/-20%（选取pass用例的runtime中位数作为基准计算Runtime_Factor，每条用例单独计算）输出要求：算法设计文档；算法实现的源代码(C/C++)和编译脚本，可以调用开源组件。输入/输出文件格式说明：图的定义定义有向图的文件由三部分组成：1.1坐标边界:minxminymaxxmaxy//图的坐标边界，位于文件第一行，图中任意坐标(x,y),满足minx<=x<=maxx,miny<=y<=maxy(minxminymaxxmaxy均为自然数)1.2节点序号范围:minvertmaxvert//每个坐标位置的节点序号范围，位于文件第二行。图中任意节点可以用(x,y,v)表示,(x,y)为其平面坐标,v为其在(x,y)位置的节点序号,满足minvert<=v<=maxvert(minvertmaxvert均为自然数)1.3边(可能存在多条)://任意边的权重为其首尾节点坐标的曼哈顿距离，e.g.边e0的首尾结点v0,v1坐标分别为(x0,y0)和(x1,y1)，则e0的权重为|x0-x1|+|y0-y1|sddxdy//任意坐标(x,y)的s号节点(x,y,s)连接到(x+dx,y+dy)的d号节点(x+dx,y+dy,d),始末节点坐标都位于图的边界内(sd为自然数,dxdy为整数,该边权重为|dx|+|dy|)//提示：节点间的连接关系在平面坐标上具有周期性1.4简单示例://////////////////////////////////////////////////////////////////////////example.graph（实际文件中没有注释）0044//0<=x<=4,0<=y<=402//0<=v<=20122//表示的边:(0,0,0)->(2,2,1),(0,1,0)->(2,3,1),(0,2,0)->(2,4,1),(1,0,0)->(3,2,1),(1,1,0)->(3,3,1),(1,2,0)->(3,4,1),(2,0,0)->(4,2,1),(2,1,0)->(4,3,1),(2,2,0)->(4,4,1)10-2-3//表示的边:(2,3,1)->(0,0,0),(2,4,1)->(0,1,0),(3,3,1)->(1,0,0),(3,4,1)->(1,1,0),(4,3,1)->(2,0,0),(4,4,1)->(2,1,0)2100//表示的边:(0,0,2)->(0,0,1),(0,1,2)->(0,1,1),(0,2,2)->(0,2,1)......//////////////////////////////////////////////////////////////////////////问题输入（用例）图的拓扑关系固定不变,除此以外,问题的输入还包括起始/目标节点,和图中各节点权重。每个用例文件中包含多个问题，求解单个问题可按需使用多线程进行加速，多个问题需要串行执行（不可并行求解多个问题），每个用例文件的runtime单独统计。以下为一个简单示例://///////////////////////////////////////////////////////////////////////example.input（实际文件中没有注释）0//问题0442200//起始节点为(4,4,2),目标节点为(2,0,0)441//节点(4,4,1)权重为1012//节点(0,1,2)权重为1432//节点(4,3,2)权重为1431//节点(4,3,1)权重为1122//节点(1,2,2)权重为1//上面未出现的节点权重默认为01//问题1402240//起始节点为(4,0,2),目标节点为(2,4,0)441//节点(4,4,1)权重为1022//节点(0,2,2)权重为1//上面未出现的节点权重默认为02//问题2.../////////////////////////////////////////////////////////////////////////对于问题0,可以在example.graph所表示的图中找到一条路径:(4,4,2)->(4,4,1)->(2,1,0)->(4,3,1)->(2,0,0).由于(4,4,1)和(4,3,1)节点权重为1,(4,4,2)->(4,4,1)边权重为0,(4,4,1)->(2,1,0)边权重为5,(2,1,0)->(4,3,1)边权重为4,(4,3,1)->(2,0,0)权重为5,这条路径的QoR为(5+4+5)+(1+1)*3=20.结果输出以下为输出示例，需给出每个问题的路径/////////////////////////////////////////////////////////////////////////example.output0//问题0442441210431200//路径为(4,4,2)->(4,4,1)->(2,1,0)->(4,3,1)->(2,0,0)1//问题1....../////////////////////////////////////////////////////////////////////////用于测试的图和输入文件如下：https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=17a56e40dbb448e6a89c217d05375e96https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=38c84886d34346109191b2db1ff6651b赛题七：高效的路径搜索算法设计-专家答疑邮箱：jiangyiyang2@hisilicon.com赛题七：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998761943928975360赛题八：300GB+高带宽TFLN调制器设计描述及要求（基础）：设计一个满足300GBaud率应用的薄膜铌酸锂(TFLN)MZ调制器，关键指标要求如下：工作波长：1524~1572nm6-dBEO带宽>150GHz，EO-S21线性滚降，ripple<1dB半波电压(Vπ)<2.0V调制器光学DC插损<3dB特征阻抗>50ohm调制器长度<1cm调制波导芯层需采用铌酸锂，介质和电极材料不限于常规半导体材料，也可采用新材料评审得分点：MZ调制器设计方案具有可行性，能满足基本指标要求6dBEO带宽越高得分越高，挑战>200GHz半波电压越低得分越高，挑战<1.5V光学DC插损越低得分越高，挑战<2dB特征阻抗越高得分越高，挑战>65ohm调制器长度越小得分越高采用可规模量产的半导体工艺输出要求：调制器关键截面图和行波电极设计图，包括材料和尺寸调制器性能仿真报告，包括EO-S21曲线、半波电压、DC插损。给出关键指标的优化思路以及仿真中采用的材料参数表行波电极仿真报告，包括电极微波损耗，特征阻抗和微波折射率。给出关键指标的优化思路以及仿真中采用的材料参数表调制器的制作工艺流程图方案总结：创新点、与文献或业界产品的关键指标对比分析、改进建议等赛题八：300GB+高带宽TFLN调制器设计-专家答疑邮箱：jiangjialin2@hisilicon.com赛题八：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998761952446664704赛题九：光通信高带宽和高摆幅MZDRV设计描述及要求（基础）：类型：差分输入差分输出MZDRV(Mach-Zehndermodulator驱动器)输入信号摆幅：300mVppd~800mVppd；线性输出摆幅:3Vppdfor65ohmDifferentialTerminalload（下面的规格均保持65ohm的输出负载）;THD:<2%for3Vppd；10GHz<4%for3Vppd40GHz;增益范围：11dB~20dB（备注：参考点为1GHz）；级联EOBW:125GHz@6dBBW(级联MZ负载为：3dBBW为120GHz的besselLPF，S参数见底下附件)低频截止频率：典型1MHz；输入回损（SDD11）:<-10dB；功耗：<600mWforsignalchannel（不包括片外MZ负载部分的功耗）；电源电压：Dualpowersupply；Prestage：Vcc3.3V，变化范围+/-10%；Outputstage：VddTDB(RFperformanceisfirstpriority)结温范围：−5℃~+105℃工艺选择不限；评审得分点：思路正确，根据需求和规格，有合理架构和工艺选型分析；有完整的电路原理图、版图及前后仿结果；有设计文档，能体现设计思路(如架构和工艺选取、关键规格理解、整体设计方案、仿真结果及曲线、规格达成度比对及可能优化方向等)；THD是关键性能；在功能&其它性能满足条件下，THD越低，得分越高，是重点加分项；固定输出摆幅，相同输出摆幅不同增益下THD的一致性优化，是加分项；对仿真无法达成的规格的差距点及关键规格的进一步优化，如能提出有价值的改进方向也是加分项；需要提供PVT仿真结果；输出要求：详细的设计说明文档。电路架构图、原理图、仿真TB设置说明及仿真曲线及结果电路版图MZ负载等效S参数：赛题九：光通信高带宽和高摆幅MZDRV设计-专家答疑邮箱：duanbo@hisilicon.com赛题九：赛题讲解&交流讨论互动社区链接：https://www.chaspark.com/#/races/competitions/998757888070041600第七届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第七届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，学院是全国同时拥有国家集成电路学院、国家集成电路产教融合创新平台、国家示范性微电子学院、国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科等集成电路领域五大国家级人才培养学科平台的6所高校之一。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。

圣邦微电子赛题专项奖设置:圣邦企业命题专项奖专门用于奖励选择圣邦企业命题的赛队，圣邦企业命题专项奖是初赛奖，由企业专家评出。入围决赛的参赛队伍继续参加大赛决赛奖项评比，与初赛奖项互不冲突。圣邦专项奖设：一等奖1队，每队奖金1万元二等奖3队，每队奖金0.5万元圣邦赛题文档下载：https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=723ef8444d9d4384bceb7a312fce95e6圣邦赛题答疑邮箱：Campus@sg-micro.com圣邦-创芯大赛人才政策：圣邦微电子鼓励并且期望技术及业务部门从创芯大赛中发掘优秀人才，并为他们提供优先录用的机会。获得全国二等奖及以上的同学，将给予面试直通卡，即免笔试，由资深技术专家直接面试。圣邦赛题视频讲解：赛题一：16Gbps线性转接驱动器设计https://www.bilibili.com/video/BV1XC41137K9/?share_source=copy_web赛题二：快速锁定的低噪声晶振电路https://www.bilibili.com/video/BV1Z1421d7Xn/?share_source=copy_web&vd_source=731983d24066c046753f8a80d7ad6bd5赛题一：16Gbps线性转接驱动器设计一、背景介绍线性转接驱动器（LinearRedriver），集成了连续时间线性均衡器（CTLE,ContinuousTimeLinearEqualizer）来提供高频的增益补偿，从而减小或者消除信道引入的码间干扰（InterSymbolInterference,ISI）。线性转接驱动器（LinearRedriver）的典型应用如下，其可以补偿高速信号通过Pre-channel之后的高频衰减，从而在线性转接驱动器的输出获得较好的眼图输出。二、设计指标请设计一款16Gbps线性转接驱动器。该驱动器需满足以下指标：ParameterMinTypMaxUnitCommentsPowerSupply,VDDVDDVVDDdependsonprocessnodeOperatingTemperature-4085℃ElectricalspecforreceiverR_rx_diff100ohmRXdifferentialimpedanceV_rx_term0VReceiveterminationvoltageV_rx_pp0.60.8VDifferentialpeaktopeakinputvoltageEqualizergain018dB@8GHzMaximumgainis18dBMinimumgainis0dBAdjustable,1.2dB/stepRL_rx_diff-12dBDifferentialreturnlossinRX,DCto8GHzRL_rx_cm-10dBCommonmodereturnlossinRX,DCto8GHzGain_lf_var-202dBLowfrequencyvoltagegainvariationoverPVTfor0dBsettingGain_hf_var-2.52.5dBEQboostinggainvariationoverPVTElectricalspecfortransmitterR_tx_diff100ohmTXdifferentialimpedanceRL_tx_diff-12dBDifferentialreturnlossinTX,DCto8GHzRL_tx_cm-10dBCommonmodereturnlossinTX,DCto8GHzV_tx_cmVDDVTransmitterterminationvoltageV_tx_pp0.60.8VDifferentialpeaktopeakoutputvoltageJIT_data7psAdditivetotaljitterwithdata.16Gbps,PRBS15,800mVppinputswing三、设计建议和文档要求1、设计建议建议使用先进CMOS工艺,比如28nm或者类似工艺；仿真工具请使用Spectre,SpectreRF；2、文档要求请提供相关的电路设计图和版图；请提供相关的报告及PPT，包括系统架构和关键技术原理分析、电路指标仿真结果及仿真的Test-bench说明。四、评分标准内容分值评分标准基本指标考核电路指标40分满足电路功能以及关键指标；Equalizergain,Gain_lf_var,Gain_hf_var,V_tx_pp,JIT_data等性能越好，得分越高；版图质量10分芯片版图布局合理；完成版图后端流程验证（DRC/LVS）；设计完整性10分完整的电路设计；完整的版图设计；完整的设计方案和仿真分析报告；优化指标考核20分创新性：电路结构是否具备创新性；在满足指标的情况下，版图面积越小以及FOM(Energy-per-bit,pJ/bit)值越低越好；性能相当的情况下，成本越低越好；后仿真结果与前仿真结果对比分析及优化方案；文档及答辩文档10分设计方案原理分析合理清晰；仿真验证报告内容详细且合理；答辩10分答辩PPT条理清晰；答辩和问答现场表现；附加指标考核20分查询业界典型产品或者文献指标，分析差距以及改进方向；充分考虑输入IO的寄生对于电路性能的影响，额外设计带宽展宽技术的相关电路；本设计中EQ的增益为寄存器控制，优化方向为根据信道的不同衰减自行调整EQ的增益的自适应控制方式并实现功能；五、补充内容1、工艺角描述电源电压：0.9*VDD,VDD,1.1*VDD;工艺corner：MOS(TT)_Res(Typ)_Cap(Typ),MOS(FF)_Res(Fast)_Cap(Fast),MOS(SS)_Res(Slow)_Cap(Slow),MOS(SS)_Res(Fast)_Cap(Fast),MOS(FF)_Res(Slow)_Cap(Slow)；温度：-40℃,27℃,85℃。2、仿真条件参考的信道，该信道（‘pre_channel_12inch.s4p’）在NyquistFrequency处衰减约为-18dB；需要考虑输入输出IO带来的寄生影响；其中主要考虑寄生电容带来的影响，需要在仿真中每个输入输出IO需要加容性负载Cp=120fF，其主要由PAD和ESD器件引入的寄生；输入数据格式为PRBS15，NRZ，16Gbps；赛题二：快速锁定的低噪声晶振电路一、背景介绍晶体简化模型如下，由R-L-C器件组成，设计需要的模型参数可以在设计指标中获得。晶振电路的整体框图如下，左侧是片外的晶体以及电容，右侧是片上的有源电路。二、设计指标请设计一款快速锁定的低噪声晶振电路，该电路需要满足以下指标：ParameterMinTypMaxUnitCommentsPowerSupply,VDD333.3VIOvoltageOperatingtemperature-40125℃XTALoscfrequency25MHzClockfrequencyaccuracy-5050ppmHereassumeXTAL’saccuracyis+/-30ppm,needconsideraboutactivecircuitinducedfrequencyerrorStartuptime1msPower2mWDutycycle4555%@outputOutputswing@FoutVregVSingleended,@output,Vregdependsonprocessnode,Cload=100fFQuartzresonatorparametersRm60ohmCm2.04fFLm19.8419.87mHC00.62pFCL,crystalloadcapacitance12pFOutputclockphasenoisemaskPN:100Hzoffset-95dBc/HzPN:1KHzoffset-125dBc/HzPN:10KHzoffset-133dBc/HzPN:100KHzoffset-140dBc/HzPN:1MHzoffset-145dBc/HzPN:10MHzoffset-148dBc/Hz三、设计建议和文档要求1、设计建议建议使用CMOS工艺，比如40nm或者类似工艺；仿真工具需要Spectre，SpectreRF；要求使用3.3V单独供电，需要设计LDO及偏置电路；1）LDO输出Vreg给XTAL的起振电路及输出Buffer供电；2）Vreg的数值与工艺选取及设计优化相关；2、文档要求提供相关的电路和版图；提供相关的报告及PPT，包括系统架构和关键技术原理分析、电路指标仿真结果及仿真的Test-bench说明；四、评分标准内容分值评分标准基本指标考核电路指标40分满足电路功能以及关键指标；Frequencyaccuracy,Power,Startuptime,Phasenoise等性能越好，得分越高；版图质量10分芯片版图布局合理；完成版图后端流程验证（DRC/LVS）；设计完整性10分完整的电路设计；完整的版图设计；完整的设计方案和仿真分析报告；优化指标考核20分创新性：电路结构是否具备创新性；在满足指标的情况下，版图面积越小以及FOM值越低越好；后仿真结果与前仿真结果对比分析及优化方案；文档及答辩文档10分设计方案原理分析合理清晰；仿真验证报告内容详细且合理；答辩10分答辩PPT条理清晰；答辩和问答现场表现；附加指标考核20分能够充分分析以下指标的原理并提出优化解决方案：电路的起振原理；XTAL总体精度限制因素及优化；输出噪声贡献因素及优化；快速启动的限制因素及优化；XTAL所需的低噪声LDO设计及优化；输入IO电路对于XTAL的影响；五、补充内容1、工艺角描述电源电压：0.9*VDD33,VDD33,1.1*VDD33;工艺corner：TT，SS，FF；温度：-40℃,27℃,125℃；如果工艺提供噪声的corner（typ，best,worst），需要考虑噪声worst情况下也满足phasenoise的要求。2、仿真条件若考虑输出Jitter的计算，积分范围为10KHz到10MHz；输出负载为Cload=100fF。第七届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第七届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，学院是全国同时拥有国家集成电路学院、国家集成电路产教融合创新平台、国家示范性微电子学院、国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科等集成电路领域五大国家级人才培养学科平台的6所高校之一。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。

第七届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第七届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，学院是全国同时拥有国家集成电路学院、国家集成电路产教融合创新平台、国家示范性微电子学院、国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科等集成电路领域五大国家级人才培养学科平台的6所高校之一。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。第七届中国研究生创“芯”大赛承办单位武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。

为优化奖励体系，提高赛事对于优秀人才的激励和导向作用，经大赛组委会决议，增设初赛团队优秀奖，获奖范围为初赛成绩前50%但未能入围决赛的队伍。现公布“中国光谷·华为杯”第六届中国研究生创“芯”大赛优秀奖名单，入选队伍名单详见下表。（按照学校单位代码排序）本届大赛团队奖及优秀奖奖状下载方式作如下工作指引：证书下载链接：http://certificate.laikephp.com/index/chaxun/zhengshu_chaxun_id/2在网站内输入团队队长姓名及官网注册手机号查询、下载奖状。高峰期查询及下载奖状可能加载缓慢，请耐心等待。若有奖状相关问题可咨询秘书处微信：cpicic-ctri。优秀奖证书仅有电子版，无实体奖状。（按照学校单位代码排序）参赛单位团队名称奖项北京理工大学拿个奖才队优秀奖北京理工大学三人团优秀奖北京邮电大学邮芯而发优秀奖北京邮电大学芯邮光启优秀奖北京邮电大学集成电路队优秀奖天津大学呀哈哈队优秀奖天津大学你们只会对对队优秀奖天津工业大学睁优秀奖河北工业大学二维光电优秀奖中北大学芯息相关优秀奖中北大学超声芯传优秀奖中北大学共价电子队优秀奖中北大学海底七触优秀奖大连理工大学芯互连精英优秀奖大连理工大学求实创新队优秀奖辽宁工程技术大学worldbeyond优秀奖哈尔滨工业大学哈工大之星优秀奖哈尔滨工程大学理实交融队优秀奖复旦大学随便组队优秀奖上海交通大学GPT说的队优秀奖上海交通大学全村的希望优秀奖上海交通大学知音知芯队优秀奖上海交通大学碳芯group优秀奖上海交通大学308优秀奖上海理工大学蜗阿牛优秀奖上海理工大学金汤酸菜鱼队优秀奖华东师范大学一见倾芯优秀奖南京大学追光者—液晶芯语优秀奖东南大学东南再起优秀奖东南大学芯芯相锡优秀奖东南大学自强萌新优秀奖东南大学老师，我想做项目优秀奖东南大学RandomDoping优秀奖东南大学一起来肝优秀奖东南大学麦香鸡优秀奖东南大学SEUer优秀奖东南大学摸鱼科技优秀奖东南大学现在还没想好队优秀奖南京航空航天大学我们也不知道到底对不对优秀奖南京航空航天大学你说对就队优秀奖南京航空航天大学EICAS优秀奖江苏科技大学贵在知心优秀奖南京邮电大学至柔至智，如影随形优秀奖南京邮电大学早起的鸟儿们优秀奖南京邮电大学芯愿邮你优秀奖南京邮电大学HE优秀奖南京邮电大学Pathfinders优秀奖南京邮电大学青出于蓝激光小分队优秀奖南京邮电大学光启未来优秀奖江苏大学碱基互补配队优秀奖江苏大学精益求精优秀奖江苏大学开小车撞大树优秀奖江苏大学sensor熟虑优秀奖江苏大学对上加队优秀奖江苏大学红芯Pro优秀奖南京信息工程大学拉扎维的拉优秀奖南通大学量子狂飙优秀奖南京师范大学Chessrobot优秀奖南京师范大学忆阻智能队优秀奖南京师范大学大家都帅优秀奖浙江大学前沿先疯队优秀奖浙江大学Flybird队优秀奖杭州电子科技大学集体成功队优秀奖杭州电子科技大学辰芯优秀奖杭州电子科技大学硅基小队优秀奖杭州电子科技大学蒙古上单队优秀奖温州大学芯怀天下优秀奖安徽大学芯希望优秀奖安徽大学重铸IC荣光优秀奖合肥工业大学SHALALA优秀奖合肥工业大学开发世界队优秀奖合肥工业大学真芯实仪优秀奖厦门大学芯中有数优秀奖东华理工大学nice队优秀奖中国海洋大学芯Distance优秀奖郑州大学破晓队优秀奖郑州大学ZZUMixed-signalICLabGroupA优秀奖河南科技大学心创优秀奖武汉大学ANTIS101优秀奖武汉大学ZQH优秀奖武汉大学阳光开朗优秀奖华中科技大学热调小分队优秀奖华中科技大学小虎队0.2优秀奖华中科技大学事件流驱动小队优秀奖华中科技大学ZVS优秀奖华中科技大学又来卖西瓜优秀奖华中科技大学好队名都让别人取了优秀奖华中科技大学社会主义好青年优秀奖华中科技大学做的都队优秀奖华中科技大学识光辨影优秀奖华中科技大学NANOHUST优秀奖华中科技大学九天揽月队优秀奖华中科技大学PaCim优秀奖华中科技大学夏洛克优秀奖华中科技大学光点信息队优秀奖华中科技大学DC云顶王优秀奖华中科技大学明睿显示优秀奖华中科技大学EPHIC优秀奖华中科技大学华光互联——超大容量硅基通信处理芯片优秀奖华中科技大学光芯追光者优秀奖华中科技大学追光小队优秀奖华中科技大学大师兄说的队优秀奖武汉工程大学WIT_Win优秀奖华中师范大学芯动力队优秀奖华中师范大学锁相环都锁不住你的芯优秀奖华中师范大学PLAC继续冲队优秀奖华中师范大学一芯一意优秀奖华中师范大学起名字好难呀优秀奖华中师范大学PLAC还OK队优秀奖湖南大学叁叁肆战队优秀奖湖南大学岳麓芯优秀奖长沙理工大学芯生不息优秀奖长沙理工大学深藏blue队优秀奖华南理工大学酒精过敏优秀奖华南理工大学PA调亿调就队优秀奖广西大学芯动未来队优秀奖西南交通大学熊猫光芯优秀奖西南交通大学交大微波光子队优秀奖电子科技大学CWFLOOR优秀奖电子科技大学浑水摸鱼队优秀奖电子科技大学一枝花队优秀奖电子科技大学巅峰的恐惧优秀奖电子科技大学小白勇攀高峰优秀奖电子科技大学加油优秀奖电子科技大学格科微行优秀奖电子科技大学龙华区集成电路测试分队优秀奖电子科技大学我反队优秀奖电子科技大学维C队优秀奖电子科技大学攀登者优秀奖电子科技大学其他垃圾plus优秀奖电子科技大学Chasers优秀奖重庆邮电大学南山大队708分队优秀奖成都信息工程大学sar出重围优秀奖重庆三峡学院慎思七零零优秀奖西安交通大学亚克力光光和朋友们优秀奖西安交通大学芯启航优秀奖西安交通大学能量不够用优秀奖西安交通大学点量芯空——超高真空原位低维量子器件工艺优秀奖西安交通大学奇异博士优秀奖西安交通大学知识学爆优秀奖西安交通大学做光电的优秀奖西北工业大学我芯飞翔优秀奖西北工业大学时间之芯优秀奖西北工业大学那个队优秀奖西北工业大学微波传能与智慧感知团队优秀奖西北工业大学参加完集创再来这试试优秀奖西北工业大学农夫三拳优秀奖西安理工大学开芯超人队优秀奖西安理工大学CISgo队优秀奖西安理工大学比完回来开派队优秀奖西安理工大学芯光闪闪优秀奖西安电子科技大学小问号你是否有很多朋友优秀奖西安电子科技大学黄金梅利号优秀奖西安电子科技大学趣多多优秀奖西安电子科技大学芯瀚灿烂优秀奖西安电子科技大学耿耿星河优秀奖西安电子科技大学芯动未来优秀奖西安电子科技大学模仙宝优秀奖西安电子科技大学芯星队优秀奖西安电子科技大学心芯之作优秀奖西安电子科技大学氮化镓混子队优秀奖西安电子科技大学一天一夜一论文优秀奖西安电子科技大学芯火相传优秀奖西安电子科技大学铝氮屡胜优秀奖西安电子科技大学I-Scream-冰激凌优秀奖西安电子科技大学氧化镓热电优化小队优秀奖西安电子科技大学GaN活小队优秀奖西安电子科技大学队名想想优秀奖西安电子科技大学快乐学习队优秀奖西安电子科技大学别具匠芯优秀奖西安电子科技大学吃饭不排队优秀奖西安电子科技大学寸芯千功优秀奖西安电子科技大学芯之所向队优秀奖西安电子科技大学镓里奥前端探险家优秀奖西安电子科技大学一只晶体管优秀奖西安电子科技大学外星人优秀奖西安电子科技大学心芯相印优秀奖西安电子科技大学优哉游哉队优秀奖西安电子科技大学芯光灿烂优秀奖西安电子科技大学边缘感知芯片小分队优秀奖西安电子科技大学京海电工优秀奖西安电子科技大学三体舰队优秀奖西安电子科技大学我的评委父亲说的对优秀奖西安电子科技大学小忙不那么忙优秀奖西安电子科技大学芯星之火队优秀奖西安电子科技大学都能整队优秀奖西安电子科技大学怦然芯动plus优秀奖西安电子科技大学版图的滑稽艺术优秀奖西安科技大学智控天眼优秀奖西安科技大学无限探索优秀奖西安科技大学木鱼优秀奖兰州大学点亮电阻队优秀奖兰州大学可乐要加冰优秀奖兰州大学灿兰光辉优秀奖兰州大学加班加点队优秀奖兰州理工大学蘑菇刺客优秀奖中国石油大学（北京）微雨燕三飞优秀奖中国科学院大学凡人修芯队优秀奖中国科学院大学拜托让我们插个队优秀奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）不解释队优秀奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）干饭人都队优秀奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）从容应对优秀奖北京信息科技大学硅光小队优秀奖重庆科技学院三个猛男优秀奖江苏海洋大学智芯队优秀奖宁波大学能量俘获队优秀奖宁波大学风华队优秀奖宁波大学36Hz优秀奖宁波大学NOICNOLUMBAGO优秀奖宁波大学微缝光芯优秀奖宁波大学相芯未来优秀奖宁波大学苍蓝星优秀奖宁波大学不知道对不队优秀奖西安邮电大学三只小猪优秀奖广东工业大学星星优秀奖广东工业大学软硬件小分队优秀奖广东工业大学午觉睡不醒优秀奖广东工业大学朴实平凡想发光优秀奖广东工业大学陪你去看看优秀奖国防科技大学NUDT纳米芯优秀奖

“中国光谷·华为杯”第六届中国研究生创“芯”大赛决赛现场经过了为期三天的精彩角逐，大赛团队奖项评选出了16支一等奖团队，其中3支队伍获得本届创“芯”之星最高奖项，另决出40支二等奖团队，113支三等奖团队，29个优秀组织奖，24名优秀指导教师奖。本届赛事共65支获奖团队获得企业命题专项奖，具体详见下文：“中国光谷·华为杯”第六届中国研究生创芯大赛获奖总名单学校队伍奖项大赛团队奖上海交通大学SLS队一等奖创芯之星华中科技大学迈慕斯芯队一等奖创芯之星西安电子科技大学功率集成小分队一等奖创芯之星天津大学零功耗起振队一等奖上海交通大学闪电鞭队一等奖浙江大学三电练习生一等奖华中科技大学专芯致志一等奖湖南大学芯系未来一等奖西南交通大学我是布局侠一等奖电子科技大学芯人一等奖电子科技大学谁赞成谁反队一等奖西安交通大学大王叫我来巡山一等奖西安电子科技大学芯城科技一等奖西安电子科技大学芯闻联播一等奖西安电子科技大学普罗米修斯队一等奖西安电子科技大学广告位招租一等奖上海交通大学别急二等奖华东师范大学芯潮逐浪二等奖华东师范大学芯也无垠二等奖华东师范大学消灭非线性二等奖华东师范大学浅浅试下对不队二等奖南京大学FEC_Debuger二等奖东南大学SOC泥头车二等奖浙江大学深藏blue队队队二等奖浙江大学芯诚则灵二等奖浙江大学社会主义核心价值观很队二等奖杭州电子科技大学快乐星球队二等奖中国科学技术大学iEDA-iPower二等奖华中科技大学智能科学计算队二等奖华中科技大学芯光点点二等奖华中科技大学动镜驭光二等奖华中科技大学芯星星二等奖华中科技大学长月芯明二等奖武汉理工大学Wut-Ceda二等奖华中师范大学大福“芯”二等奖湖南大学吃鱼小队二等奖电子科技大学芯目智踪二等奖电子科技大学高性能模拟设计小组二等奖电子科技大学CHIPGPT二等奖电子科技大学清龙七对二等奖电子科技大学空降龙门阵二等奖西安交通大学芯系中华二等奖西安交通大学花开富贵二等奖西安电子科技大学小旋风二等奖西安电子科技大学电表倒转二等奖西安电子科技大学芯想事成队二等奖西安电子科技大学为了甘雨小姐二等奖西安电子科技大学极零队二等奖西安电子科技大学刘丁赫和他的朋友们二等奖西安电子科技大学GaN微波SBD小分队二等奖西安电子科技大学芯潮澎湃二等奖西安电子科技大学红芯闪闪二等奖西安电子科技大学芯青年二等奖西安电子科技大学爆破小队二等奖广东工业大学ReShaker二等奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）按时毕业队二等奖北京工业大学老刘说得队V2.0.1三等奖北京工业大学老刘说得队V2.0.2三等奖北京理工大学灵犀慧眼三等奖天津大学芯光未来三等奖太原理工大学齐芯合力三等奖大连理工大学芯学小生三等奖大连理工大学戮力同芯三等奖上海交通大学虹派三等奖上海电力大学悦目阳光队三等奖华东师范大学芯光万丈三等奖华东师范大学芯之所向三等奖南京大学芯享大队三等奖南京大学南中艾卡斯队三等奖东南大学ImpossibleGameButTry（IGBT）三等奖东南大学吟啸且徐行三等奖南京信息工程大学镭射芯探三等奖浙江大学想要成为ChipStar队三等奖浙江大学COER-Pioneer三等奖浙江大学电出精彩队三等奖浙江大学GHz芯动三等奖杭州电子科技大学奔跑队三等奖温州大学芯系天下三等奖温州大学啊对对对三等奖安徽大学伴我熊芯三等奖安徽大学住在深海的大菠萝里三等奖合肥工业大学芯旷神仪三等奖厦门大学海蓝光芯三等奖济南大学一“芯”同体三等奖郑州大学ZZU_MIX_SIGNAL_IC_LAB_B三等奖武汉大学spicemonkey三等奖武汉大学中芯导航2.0三等奖武汉大学芯胞队三等奖华中科技大学ISMD三等奖华中科技大学量子芯盾三等奖华中科技大学集帅与集美队三等奖华中科技大学前途光明三等奖华中科技大学一维红外三等奖华中科技大学铌酸锂就是最棒的！三等奖华中科技大学微震天三等奖华中科技大学大角牛队三等奖华中科技大学Selector三等奖华中科技大学芯影视达三等奖华中科技大学煎蛋队三等奖华中科技大学摸鱼小分队三等奖武汉工程大学主要看颜值队三等奖华中师范大学ValentineCCNU三等奖湘潭大学美少女团队三等奖湖南大学229三等奖中山大学模集学习小组三等奖华南理工大学华工芯青年三等奖深圳大学505小分队三等奖深圳大学搬砖小队三等奖电子科技大学医心三等奖电子科技大学ICer三等奖电子科技大学attractor三等奖电子科技大学上进的“芯”三等奖电子科技大学势在必“星”三等奖电子科技大学温暖传递小队三等奖电子科技大学非线性小组三等奖电子科技大学感觉不太队三等奖电子科技大学LNAhub三等奖西安交通大学芯光队三等奖西安交通大学SAR研究小组三等奖西北工业大学艺术家们都秃头三等奖西北工业大学微能永乾三等奖西北工业大学芯芯相“熙”三等奖西安电子科技大学IC芯青年三等奖西安电子科技大学芯意相通三等奖西安电子科技大学模拟抢险队三等奖西安电子科技大学“芯”灵驿站三等奖西安电子科技大学芯情还行三等奖西安电子科技大学笔芯三等奖西安电子科技大学芯之锁相三等奖西安电子科技大学芯玥之光三等奖西安电子科技大学淡泊名利小分队三等奖西安电子科技大学暗藏玄只因三等奖西安电子科技大学射频收发小分队三等奖西安电子科技大学芯年快乐三等奖西安电子科技大学芯通未来三等奖西安电子科技大学流水线芯青年三等奖西安电子科技大学别出芯裁三等奖西安电子科技大学模数大师三等奖西安电子科技大学芯成则灵三等奖西安电子科技大学芯晨三等奖西安电子科技大学紫极魔瞳三等奖西安电子科技大学芯芯向融三等奖西安电子科技大学芯声三等奖西安电子科技大学丝绸之路芯起点三等奖西安电子科技大学3H小分队三等奖西安电子科技大学镓源动力三等奖西安电子科技大学记忆之门队三等奖西安电子科技大学好好学习小分队三等奖西安电子科技大学模拟对对队三等奖西安电子科技大学老科广研队三等奖西安电子科技大学单粒子forever三等奖西安电子科技大学毅鸣惊人三等奖西安电子科技大学芯中有爱三等奖西安电子科技大学金盆洗手三等奖西安电子科技大学VCO小分队三等奖西安电子科技大学LiDAR小分队三等奖西安工业大学绿色存储小分队三等奖长安大学这个队伍泰酷辣三等奖兰州大学最强陪跑2.0三等奖宁波大学芯平气和三等奖宁波大学芯轻年三等奖宁波大学柔纳最强队三等奖重庆理工大学星辰大海三等奖西安邮电大学“科慕芯”人工智能团队三等奖广东工业大学666三等奖广东工业大学代打螺丝三等奖上海科技大学脑机接口三等奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）我们做的都队三等奖澳门大学301寺三等奖优秀指导教师奖学校指导老师天津大学马凯学天津大学王科平上海交通大学何卫锋上海交通大学绳伟光上海交通大学陈铭易上海交通大学魏浩浙江大学何乐年华中科技大学刘骅锋华中科技大学余国义华中科技大学夏金松华中科技大学曾成湖南大学王俊西南交通大学邸志雄西南交通大学蒋燕电子科技大学徐跃杭电子科技大学毛书漫电子科技大学黄乐天西安交通大学桂小琰西安电子科技大学杨凌西安电子科技大学许晟瑞西安电子科技大学冯兰胜西安电子科技大学朱樟明西安电子科技大学陈超西安电子科技大学刘马良优秀组织单位北京工业大学天津大学大连理工大学上海交通大学华东师范大学上海大学南京大学南京邮电大学东南大学浙江大学杭州电子科技大学安徽大学厦门大学武汉大学华中师范大学湖南大学深圳大学西南交通大学电子科技大学西安交通大学西北工业大学西安电子科技大学西安科技大学兰州大学宁波大学西安邮电大学广东工业大学中国科学院大学华中科技大学华为企业命题专项奖学校队伍企业专项奖中国科学技术大学iEDA-iPower华为特等奖南京大学FEC_Debuger华为特等奖西安交通大学SAR研究小组华为一等奖华东师范大学消灭非线性华为一等奖电子科技大学清龙七对华为一等奖华中师范大学ValentineCCNU华为一等奖电子科技大学温暖传递小队华为一等奖中山大学模集学习小组华为一等奖西安电子科技大学红芯闪闪华为二等奖西安电子科技大学模拟对对队华为二等奖华南理工大学华工芯青年华为二等奖温州大学啊对对对华为二等奖广东工业大学666华为二等奖南京大学南中艾卡斯队华为二等奖武汉理工大学Wut-Ceda华为二等奖西安电子科技大学芯青年华为二等奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）按时毕业队华为二等奖广东工业大学星星华为二等奖广东工业大学代打螺丝华为二等奖西安电子科技大学广告位招租华为二等奖郑州大学ZZU_MIX_SIGNAL_IC_LAB_B华为二等奖东南大学吟啸且徐行华为二等奖深圳大学搬砖小队华为二等奖电子科技大学非线性小组华为二等奖格科微企业命题专项奖学校队伍企业专项奖华东师范大学芯之所向格科微一等奖浙江大学三电练习生格科微一等奖浙江大学GHz芯动格科微二等奖湖南大学吃鱼小队格科微二等奖西安交通大学花开富贵格科微二等奖西安电子科技大学爆破小队格科微二等奖西安电子科技大学金盆洗手格科微二等奖澳门大学301寺格科微二等奖新思企业命题专项奖学校队伍企业专项奖西安电子科技大学老科广研队新思科技一等奖上海交通大学虹派新思科技二等奖华中科技大学芯星星新思科技二等奖西安电子科技大学单粒子forever新思科技二等奖Cadence企业命题专项奖学校队伍企业专项奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）我们做的都队Cadence一等奖电子科技大学感觉不太队Cadence二等奖中国石油大学（北京）微雨燕三飞Cadence二等奖中国科学院大学（中国科学院微电子研究所）从容应对Cadence二等奖泰瑞达企业命题专项奖学校队伍企业专项奖长安大学这个队伍泰酷辣泰瑞达一等奖合肥工业大学芯旷神仪泰瑞达二等奖广东工业大学软硬件小分队泰瑞达二等奖极海企业命题专项奖学校队伍企业专项奖北京工业大学老刘说得队V2.0.1极海一等奖西安电子科技大学芯中有爱极海一等奖北京理工大学我们都队极海二等奖北京理工大学拿个奖才队极海二等奖东南大学一起来肝极海二等奖华大九天企业命题专项奖学校队伍企业专项奖湖南大学229华大九天一等奖电子科技大学空降龙门阵华大九天一等奖西安电子科技大学VCO小分队华大九天一等奖上海电力大学悦目阳光队华大九天二等奖杭州电子科技大学奔跑队华大九天二等奖电子科技大学维C队华大九天二等奖电子科技大学我反队华大九天二等奖西安交通大学奇异博士华大九天二等奖西安交通大学知识学爆华大九天二等奖概伦电子企业命题专项奖学校队伍企业专项奖北京工业大学老刘说得队V2.0.2概伦电子一等奖电子科技大学谁赞成谁反队概伦电子一等奖北京理工大学三人团概伦电子二等奖华东师范大学浅浅试下对不队概伦电子二等奖郑州大学ZZUMixed-signalICLabGroupA概伦电子二等奖华中科技大学长月芯明概伦电子二等奖长沙理工大学深藏blue队概伦电子二等奖电子科技大学其他垃圾plus概伦电子二等奖

“中国光谷·华为杯”第六届中国研究生创“芯”大赛初赛评审工作自启动以来，受到来自高校、企业等各界人士广泛关注。本届大赛共有889支队伍报名，经过大赛专家评审组围绕“先进性、创新性、展示效果与应用价值”四个维度的严格评审及复议重审工作，共有171支队伍进入决赛，入围名单详见下表。（按照学校单位代码排序）序号学校队伍1北京工业大学老刘说得队V2.0.12北京工业大学老刘说得队V2.0.23北京理工大学灵犀慧眼4天津大学零功耗起振队5天津大学芯光未来6太原理工大学齐芯合力7大连理工大学芯学小生8大连理工大学戮力同芯9上海交通大学SLS队10上海交通大学别急11上海交通大学闪电鞭队12上海交通大学虹派13上海电力大学悦目阳光队14华东师范大学芯光万丈15华东师范大学芯潮逐浪16华东师范大学芯也无垠17华东师范大学消灭非线性18华东师范大学芯之所向19华东师范大学浅浅试下对不队20南京大学芯享大队21南京大学FEC_Debuger22南京大学南中艾卡斯队23东南大学SOC泥头车24东南大学ImpossibleGameButTry（IGBT）25东南大学吟啸且徐行26南京信息工程大学镭射芯探27浙江大学想要成为ChipStar队28浙江大学深藏blue队队队29浙江大学芯诚则灵30浙江大学COER-Pioneer31浙江大学电出精彩队32浙江大学社会主义核心价值观很队33浙江大学三电练习生34浙江大学GHz芯动35杭州电子科技大学快乐星球队36杭州电子科技大学奔跑队37温州大学芯系天下38温州大学啊对对对39安徽大学伴我熊芯40安徽大学住在深海的大菠萝里41中国科学技术大学iEDA-iPower42合肥工业大学芯旷神仪43厦门大学海蓝光芯44厦门大学南征北战45济南大学一“芯”同体46郑州大学ZZU_MIX_SIGNAL_IC_LAB_B47武汉大学spicemonkey48武汉大学中芯导航2.049武汉大学芯胞队50华中科技大学ISMD51华中科技大学智能科学计算队52华中科技大学量子芯盾53华中科技大学集帅与集美队54华中科技大学芯光点点55华中科技大学专芯致志56华中科技大学前途光明57华中科技大学一维红外58华中科技大学铌酸锂就是最棒的！59华中科技大学迈慕斯芯队60华中科技大学微震天61华中科技大学大角牛队62华中科技大学动镜驭光63华中科技大学Selector64华中科技大学芯影视达65华中科技大学煎蛋队66华中科技大学芯星星67华中科技大学长月芯明68华中科技大学摸鱼小分队69武汉工程大学主要看颜值队70武汉理工大学Wut-Ceda71华中师范大学大福“芯”72华中师范大学ValentineCCNU73湘潭大学美少女团队74湖南大学芯系未来75湖南大学吃鱼小队76湖南大学22977中山大学模集学习小组78华南理工大学华工芯青年79深圳大学505小分队80深圳大学搬砖小队81西南交通大学我是布局侠82电子科技大学芯目智踪83电子科技大学医心84电子科技大学高性能模拟设计小组85电子科技大学CHIPGPT86电子科技大学ICer87电子科技大学attractor88电子科技大学芯人89电子科技大学上进的“芯”90电子科技大学势在必“星”91电子科技大学清龙七对92电子科技大学温暖传递小队93电子科技大学非线性小组94电子科技大学感觉不太队95电子科技大学空降龙门阵96电子科技大学谁赞成谁反队97电子科技大学LNAhub98西安交通大学芯光队99西安交通大学SAR研究小组100西安交通大学芯系中华101西安交通大学花开富贵102西安交通大学大王叫我来巡山103西北工业大学艺术家们都秃头104西北工业大学微能永乾105西北工业大学芯芯相“熙”106西安电子科技大学IC芯青年107西安电子科技大学芯意相通108西安电子科技大学小旋风109西安电子科技大学电表倒转110西安电子科技大学芯想事成队111西安电子科技大学模拟抢险队112西安电子科技大学“芯”灵驿站113西安电子科技大学芯情还行114西安电子科技大学笔芯115西安电子科技大学芯之锁相116西安电子科技大学芯玥之光117西安电子科技大学淡泊名利小分队118西安电子科技大学暗藏玄只因119西安电子科技大学射频收发小分队120西安电子科技大学芯年快乐121西安电子科技大学芯通未来122西安电子科技大学流水线芯青年123西安电子科技大学别出芯裁124西安电子科技大学模数大师125西安电子科技大学芯城科技126西安电子科技大学芯闻联播127西安电子科技大学为了甘雨小姐128西安电子科技大学极零队129西安电子科技大学芯成则灵130西安电子科技大学芯晨131西安电子科技大学紫极魔瞳132西安电子科技大学刘丁赫和他的朋友们133西安电子科技大学普罗米修斯队134西安电子科技大学芯芯向融135西安电子科技大学芯声136西安电子科技大学功率集成小分队137西安电子科技大学丝绸之路芯起点138西安电子科技大学3H小分队139西安电子科技大学GaN微波SBD小分队140西安电子科技大学镓源动力141西安电子科技大学记忆之门队142西安电子科技大学好好学习小分队143西安电子科技大学芯潮澎湃144西安电子科技大学红芯闪闪145西安电子科技大学模拟对对队146西安电子科技大学芯青年147西安电子科技大学广告位招租148西安电子科技大学老科广研队149西安电子科技大学单粒子forever150西安电子科技大学毅鸣惊人151西安电子科技大学芯中有爱152西安电子科技大学金盆洗手153西安电子科技大学爆破小队154西安电子科技大学VCO小分队155西安电子科技大学LiDAR小分队156西安工业大学绿色存储小分队157长安大学这个队伍泰酷辣158兰州大学最强陪跑2.0159宁波大学芯平气和160宁波大学芯轻年161宁波大学柔纳最强队162重庆理工大学星辰大海163西安邮电大学“科慕芯”人工智能团队164广东工业大学ReShaker165广东工业大学666166广东工业大学星星167广东工业大学代打螺丝168上海科技大学脑机接口169中国科学院大学按时毕业队170中国科学院大学我们做的都队171澳门大学301寺

第六届大赛PPT模版点击链接下载https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=885a001e3ef742d8b7008d440295df64第六届大赛成果清单Excel模版点击链接下载http://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=89e255c29cc84acaacd912c9f6fba94d"中国光谷·华为杯"第六届中国研究生创"芯"大赛参赛邀请函点击链接下载https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=17f364692fc4464598c0c7f76653d290"中国光谷·华为杯"第六届中国研究生创"芯"大赛参赛说明点击链接下载https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=2eba42daaf7545a5aeca5e00e3199a85第六届赛事PPT介绍腾讯微云https://share.weiyun.com/qAcg0KPe第六届大赛宣传海报(PDF格式，CMYK印刷颜色）腾讯微云https://share.weiyun.com/ZzK8uFci第六届大赛宣传海报(JPG图片）腾讯微云https://share.weiyun.com/TzAUldNb第六届大赛主视觉腾讯微云https://share.weiyun.com/X0coNNEx创芯大赛logo标识点击链接https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=271de6f34c5f433aabcc123cb3c668b0如有其它需求可联系秘书处微信：cpicic-ctri第六届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第六届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，先后获批国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、国家集成电路产教融合创新平台。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。

“中国光谷华为杯”第六届中国研究生创“芯”大赛参赛说明一、时间及地点报名启动时间：2023年3月30日报名截止时间：2023年6月18日初赛作品提交截止时间：2023年6月25日决赛时间：2023年8月1日-8月5日决赛地点：华中科技大学二、参赛办法1.中国大陆、港澳台地区在读研究生（硕士生和博士生，含留学生）和已获得研究生入学资格的大四本科生（需提供学校保研、录取证明）及国外高校在读研究生均可参赛。2.以参赛队为基本报名单位，每个参赛队由两至三名学生组成。每个参赛队可选指导教师一名或两名，设置队长一名。每位指导教师至多指导三个参赛队，每位参赛队员只能加入一个参赛队。3.大赛官网：https://cpipc.acge.org.cn/cw/hp/10。参赛队在大赛官网上注册、完善报名信息、组队。参赛队所在研究生培养单位进行资格审核后，参赛队在官网上提交参赛作品。4.在初赛阶段，参赛队可以选择自主命题，也可以选择企业命题。对于选择企业公开命题的参赛队，其作品将由企业进行评审。企业公开命题的要求详见官网。5.报名截止日期为6月18日，作品上传截止日期为6月25日。三、作品要求1.在初赛阶段，参赛队可以选择自主命题，也可以选择企业命题。自主命题参赛作品面向集成电路设计方向、半导体器件与工艺方向、光电子芯片与器件方向、EDA算法与工具设计方向，可以结合研究课题，提交相关的创意、创新或创业作品，具体方向与细分领域如下：集成电路设计方向细分领域：模拟、数据转换器、数字系统与电路、图像MEMS医疗显示等接口、机器学习与人工智能、存储、电源管理、射频技术与无线系统、有线传输、前沿领域与交叉学科。半导体器件与工艺方向细分领域：先进逻辑器件、新兴电子器件、存储器、射频器件、功率器件、传感器、MEMS及生物电子器件。光电子芯片与器件方向细分领域：光子芯片光电融合芯片异质异构光电芯片与器件集成光电子器件及应用EDA算法与工具设计方向不再进行领域细分。对于选择企业命题的参赛队，其作品将由企业进行评审，企业命题的要求及奖项设置详见官网。2.自主命题参赛作品所属细分领域可以是一到两个，参赛队认为作品涉及除报名题目外的其他领域，可在作品提交时具体标注。企业命题参赛队可报名多个企业命题，针对不同赛题提交不同作品。3.参赛作品为带语音讲解的PPT和附件。附件包括但不限于参赛团队照片、必要的技术文档、样机照片等。创“芯”大赛不要求参赛队伍提交实物。4.PPT是初赛评审的主要依据，包括但不限于应用背景、设计原理、创新创意、功能/性能演示等内容，PPT必须提前录制语音讲解，并可以动画、视频等形式展示，播放时间不超过8分钟。5.参赛团队照片2张，其中全体成员（包括指导教师）合影1张，全体成员在参赛单位标志物前合影1张，单个图片大小不超过2MB。6.将PPT和附件打包在一个文件夹中并压缩，命名为“参赛单位-参赛队-作品名称-细分领域1（必选）-细分领域2（可选）”并提交至大赛官网。7.参赛队伍需将作品成果按照大赛规定的格式提供成果表格（包括：论文、专利、学术奖项），如参赛队伍所提交成果中含有他人成果（三位参赛队员名字均不在作者名单中），即视为审查不通过，按0分记。成果为学术性成果或者奖励，学生参与的项目不能算做成果。成果清单模板下载：http://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=89e255c29cc84acaacd912c9f6fba94d8、曾在往届创“芯”大赛中获得过二等奖及以上奖项的队伍，需在作品文件中标明获奖成果与获奖后新完成的工作。参赛队伍在其他赛事上获奖的队伍也需标注所获奖项。9.参赛作品的知识产权归属于参赛队伍所有，鉴于创“芯”大赛作品的特点，需要保密的内容不得在作品设计PPT和附件中体现。10.自主命题不限制参赛作品所使用工具的品牌，型号和版本，由参赛队自行选择，所使用软硬件工具的品牌不影响竞赛成绩。四、评审办法1.创“芯”大赛分为两级评审：初赛评审和决赛评审。初赛评审采用网络或会议评审的方式进行。决赛为现场赛，采用答题、答辩及竞演相结合的方式进行。2.初赛评审方式不要求参赛队员到达评审现场，评委通过参赛作品的电子文档进行评审。如有需要，评委可要求参赛队员通过QQ、微信等通讯工具进行视频、语音远程答辩，以求对参赛队和参赛作品充分了解，做出合理的评审决定。3.创“芯”大赛决赛包括三个环节：答题、答辩、竞演。4.答题环节。该环节由基础题及上机设计两部分组成。参赛队的每位成员须独立完成基础题，其平均分作为参赛队的基础题成绩；上机设计题分为集成电路设计类、半导体器件与工艺类、光电子芯片与器件类及EDA算法与工具设计类，具体题目设置详见决赛通知，参赛队任选其中一个方向并集体完成。此环节的综合成绩排名前50名的参赛队伍晋级答辩环节，其他参赛队伍不参加答辩环节。5.答辩环节。所有晋级的参赛队参加答辩环节，答辩内容为初赛阶段提交的参赛作品的现场演讲，并回答评委的提问。选取前15个队伍参加竞演环节。6.竞演环节：每个参赛队进行路演，并回答评委问题，由评委及现场观众共同打分，得出最终名次。前3名为本届创“芯”之星荣誉的获得者。五、奖项设置和奖励办法1.创“芯”大赛决赛设团队一等奖、二等奖、三等奖，优秀指导教师奖，优秀组织单位等奖项。2.团队一等奖15名，前三名队伍获得“创芯之星”荣誉称号，奖金5万元，获奖证书、奖杯，其余队伍获得奖金2万元，获奖证书；团队二等奖35名，奖金8千元，获奖证书；团队三等奖若干名，获奖证书；最佳指导教师奖若干名，获奖证书；优秀组织单位若干名，获奖证书；3.企业命题具体内容及专项奖信息见竞赛官方网站。4.决赛各个奖项均获得由组委会统一颁发荣誉证书。六、其他1.决赛期间，参赛队餐费、住宿费由组委会负责，差旅费等其它费用自理。2.不能组队参加本届竞赛的单位可以派员进行观摩，每个单位可派1-2名代表，观摩人员交通费和住宿费用自理，承办单位将提供有关方便。具体观摩方案请关注后续通知。3.进入决赛的参赛队必须自带电脑（及网线转接口）。决赛现场将为每个参赛队伍提供3个标准有线网络接口，可连接至大赛服务器。大赛服务器所需接口软件及服务器内安装的软件列表将于决赛前提供，请关注后续通知。4.根据疫情防控情况和教育部有关要求，结合大赛评审的实际需要，部分赛事时间节点可能会产生变化，具体时间调整另行通知，相关事宜详见大赛官方网站。5.大赛解释权归大赛组委会。七、大赛组委会联系方式秘书处联系人：张逸轩联系电话：0592-5776165；17606905288邮件地址：cpicic@163.com单位：清华海峡研究院承办单位联系人：朱玉玲联系电话：027-87792600；15271921849邮箱：zhuyuling@hust.edu.cn单位：华中科技大学第六届中国研究生创芯大赛承办单位介绍第六届中国研究生创“芯”大赛承办单位华中科技大学坐落于湖北省武汉市，是国家教育部直属重点综合性大学、国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，也是首批“双一流”建设高校。学校校园占地7000余亩，园内树木葱茏，碧草如茵，绿化覆盖率72%，被誉为“森林式大学”。学校师资力量雄厚，并遵循“应用领先、基础突破、协调发展”的科技发展方略，构建起了覆盖基础研究层、高新技术研究层、技术开发层三个层次的科技创新体系。华中科技大学集成电路学院以服务国家重大战略和区域经济发展为目标，承建集成电路科学与工程和电子科学与技术两个一级学科，电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程三个国家一流本科专业，先后获批国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、国家集成电路产教融合创新平台。学院按照“国际视野、拔尖示范、协同育人、自主创芯、服务地方"的思路，通过人才培养、科学研究、学科建设“三位一体”，充分发挥产教融合优势，支撑和引领华中地区集成电路产业高速发展。武汉东湖新技术开发区简称东湖高新区，又称中国光谷、简称光谷，于1988年创建成立，是中国首批国家级高新区、第二个国家自主创新示范区、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区，并获批国家光电子信息产业基地、国家生物产业基地、央企集中建设人才基地、国家首批双创示范基地等。经过30多年的发展，东湖高新区综合实力和品牌影响力大幅提升，知识创造和技术创新能力提升至全国169个国家级高新区第一，成为全国10家重点建设的“世界一流高科技园区”之一。